Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Hướng dẫn

Chọn D là đáp án đúng